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一方面，天机许多课题组已经使用abinitio密度泛函理论(DFT)来研究吸附的原子和分子与TMDs的相互作用。吸附的原子和分子在TMD中是一类有前景的杂质，新版侠因为它们倾向于仅仅微弱地扰动TMD衬底的原子结构，新版侠从而限制了可能由杂质散射或俘获导致的载流子迁移率的退化。

文献链接：蜘蛛Tuningelectronicpropertiesoftransition-metaldichalcogenidesviadefectcharge,(ScientificReports,2018,DOI:10.1038/s41598-018-31941-1)本文由材料人计算组Z.Chen供稿，蜘蛛材料牛整理编辑。

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